江苏捷捷微电子股份有限公司2020年半年度报告
第一节 重要提示、目录和释义
公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
公司负责人黄善兵、主管会计工作负责人沈欣欣及会计机构负责人(会计主管人员)朱瑛声明：保证本半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。
一、人力资源风险：公司当前正处于转型升级、跨越发展的关键时期，产品相对单一，对MOSFET和IGBT及第三代半导体等产品开发的人才储备不足，尤其是产品应用和项目管理人员缺口较大，短期内仍将给公司重点业务和产品的研究开发带来一定的不利影响。
二、市场竞争加剧的风险：国际知名大型半导体公司占据了我国半导体市场 70%左右的份额，我国本土功率半导体分立器件生产企业众多，但主要集中在封装产品代工层面，与国际技术水平有较大差距。公司具备功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售一体化的业务体系，主要竞争对手为国际知名大型半导体公司，随着公司销售规模的扩大，公司与国际大型半导体公司形成日益激烈的市场竞争关系，加剧了公司在市场上的竞争风险。
三、产品结构单一风险：公司主营产品为功率半导体分立器件，其中晶闸管系列产品在报告期内占公司营业收入的比例在 40%以上，公司存在对晶闸管产品依赖较大的风险。晶闸管仅为功率半导体分立器件众多类别之一，如果公
司未来不能够保持研发优势，无法及时提升现有产品的生产工艺，并逐步向全控型功率半导体分立器件领域延伸，现有单一晶闸管产品将面临市场份额下降和品牌知名度降低的风险，公司经营业绩将受到较大影响。
四、资产折旧摊销增加的风险：随着公司募投项目与新建项目投入使用或逐步投入使用，固定资产规模相应增加，资产折旧摊销随之加大，若不能及时释放产能产生效益，或将对公司经营业务产生不利影响。
五、重点研发项目进展不及预期的风险：半导体行业是周期性行业，随着半导体产品研发周期的不断缩短和技术革新的不断加快，新技术、新工艺在半导体产品中的应用更加迅速，进而导致半导体产品的生命周期不断缩短。公司一直致力于产业链的拓宽和产品的转型升级，并以重点研发项目为牵引，加大研发投入力度。由于国外先进半导体制造商产品更具品牌效应与关键技术可靠性与稳定性，客户对于新产品的立项或论证（可替换）周期较长，公司可能会面临重点研发项目进展不及预期的风险。
六、宏观经济波动风险：功率半导体分立器件制造行业是半导体行业的子行业，半导体行业渗透于国民经济的各个领域，行业整体波动性与宏观经济形势具有一定的关联性，包括中美贸易战持续升级等影响。公司产品主要应用于家用电器、开关等民用领域，无功补偿装置、无触点交流开关、固态继电器等工业领域，及 IT 产品、汽车电子、网络通讯的防雷击防静电保护领域。如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，上述行业的整体盈利能力会受到不同程度的影响，半导体行业的景气度也将随之受到影响，下游行业的波动和低迷会导致公司客户对成本的考量更加趋于谨慎，公司产品的销售价格和销售数量均会受到相应的不利因素影响而下降，毛利率也将随之降低，对公司盈利带来不利影
响。
七、环保风险：功率半导体分立器件制造过程涉及到多种化学工艺，会产生以废水、废气为主的污染物。环保问题已经越来越受到我国政府的重视，不排除今后由于环保标准提高导致公司环保费用增加的可能。此外，若在生产过程中因管理疏忽、不可抗力等因素以致出现环境事故的可能，可能会对环境造成一定的破坏和不良后果。若出现环保方面的意外事件、对环境造成污染、触犯环保方面法律法规，则会对公司的声誉及日常经营造成不利影响。
公司计划不派发现金红利，不送红股，不以公积金转增股本。
目录
第一节 重要提示、目录和释义......2
第二节 公司简介和主要财务指标......10
第三节 公司业务概要......13
第四节 经营情况讨论与分析......21
第五节 重要事项......38
第六节 股份变动及股东情况......87
第七节 优先股相关情况......93
第八节 可转换公司债券相关情况......94
第九节 董事、监事、高级管理人员情况......95
第十节 公司债券相关情况......97
第十一节 财务报告......98
第十二节 备查文件目录......218
释义
释义项 指 释义内容
捷捷微电、公司、本公司 指 江苏捷捷微电子股份有限公司
捷捷半导体 指 捷捷半导体有限公司
捷捷上海 指 捷捷微电（上海）科技有限公司
捷捷深圳 指 捷捷微电（深圳）有限公司
捷捷新材料 指 江苏捷捷半导体新材料有限公司
捷捷无锡 指 捷捷微电（无锡）科技有限公司
由单个半导体晶体管构成的具有独立、完整功能的器件，其本身在
半导体分立器件 指 功能上不能再细分。例如：二极管、三极管、双极型功率晶体管
（GTR）、晶闸管（可控硅）、场效应晶体管（结型场效应晶体管、
MOSFET）、IGBT、IGCT、发光二极管、敏感器件等。
功率半导体分立器件 指 又称为电力电子器件，指能够耐受高电压或承受大电流的半导体分
立器件，主要用于电能变换和控制。
Integrated Circuit 即集成电路，采用一定的工艺，把一个电路中所需
的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小
Ic 指 块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成
为具有所需电路功能的微型结构，从而实现电路或者系统功能的半
导体器件。
是指使用功率半导体分立器件对电能进行变换和控制的技术。电力
电力电子技术 指 电子技术所变换的“电力”功率可大到数百兆瓦甚至吉瓦，也可以
小到数瓦甚至 1 瓦以下。
如无特殊说明，本文所述芯片专指功率半导体分立器件芯片，系通
过在硅晶圆片上进行抛光、氧化、扩散、光刻等一系列的工艺加工
芯片 指 后，在一个硅晶圆片上同时制成许多构造相同、功能相同的晶粒，
再经过划片分立后便得到单独的晶粒，即为芯片。这个晶片虽已具
有了半导体器件的全部功能，但还需要通过封装后才能使用。
封装是指将半导体芯片安装在规定的外壳内，起到固定、密封、保
封装 指 护芯片、增强导电性能和导热性能、同时通过内部连线将芯片电极
与外部电极相连接的作用。
晶体闸流管(thyristor）的简称，又可称作可控硅整流器，能在高电
晶闸管 指 压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制和变换电能，被广
泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电
子电路中。
防护器件 指 功率半导体防护器件，又称为“半导体防护器件”、“保护器件”或
“保护元件”，从保护原理上又可以分为“过电流保护”和“过电
压保护”，过电流保护元件主要有普通熔断器、热熔断器、自恢复
熔断器及熔断电阻器（保护电阻）等，在电路中出现电流或热等异
常现象时，会立即切断电路而起到保护作用；过电压保护元件主要
有压敏电阻、气体放电管、半导体放电管（TSS）、瞬态抑制二极管
（TVS）、TVS 阵列（ESD）等，在电路中出现电压异常时，过电压
保护元件会将电压钳制在电路安全的电压额定值下，当电压异常消
除时，电路又恢复正常工作。
二极管
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