扬州扬杰电子科技股份有限公司
2023 年年度报告
2024-014
2024 年 04 月
2023 年年度报告
第一节 重要提示、目录和释义
公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的
真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并承担个
别和连带的法律责任。
公司负责人梁勤、主管会计工作负责人戴娟及会计机构负责人(会计主管人员)佘静声明：保证本年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。
1、市场竞争风险
半导体行业市场化程度高，竞争激烈，行业周期比较明显。公司产品定位于中高端市场和进口替代，直面国际品牌的强势竞争。未来，如果在新产
品研发、精益管理能力、市场定位、营销网络构建等方面不能适应市场变化，公司面临的市场竞争风险将会加大，可能会影响公司在中高端市场的份额和
目前数个细分领域的龙头地位。
2、技术风险
公司所处行业发展迅速，技术、产品以及下游应用领域迭代更新速度快。公司在大尺寸高端晶圆及先进封装等领域技术投入的节奏和速度，面临着高
端产品设计工艺实现以及下游客户端选择应用机会的风险；公司在第三代半
导体领域的技术合作、人才引进、研发平台建设、晶圆产线规划等投入节奏
和速度，面临着下游应用领域快速出现硅基产品替代的风险。倘若公司未能
对行业发展趋势做出及时、准确的判断，公司的产品研发、技术创新未能跟
上行业技术的发展，或者技术路线和市场方向产生偏差，可能会影响公司的
盈利能力及市场竞争能力，进而影响目前的行业优势地位。
3、管理风险
近年来，公司的经营规模和业务范围不断扩大，人员也在持续扩充，事业部体系、研发体系、外延投资体系、决策支撑体系等部门的体量快速提升，这对公司管理层的领导力、驾驭经营风险的能力，管理干部的素质和适应快
速变化的能力都提出了更高的要求。虽然，公司不断强化内部管理体系的建
设，提升组织能力建设系统化，但若未来公司的组织能力、管理模式和人才
发展等不能适应公司内外部环境的变化，将会给公司的经营发展带来不利的
影响。
4、并购风险
公司重视内生式增长与外延式发展并举的发展战略，积极通过并购方式完善公司的产业链并丰富公司的产品谱系，但公司与并购对象在企业文化、
管理团队、技术研发、客户资源管理等方面均面临整合风险，若公司与并购
对象不能实现有效融合，可能会导致投资达不到预期效果，进而影响公司的
经营业绩。
5、国际政治经济环境风险
近年来全球经济下行，国际宏观环境变动加快，汇率变动、国际地缘政治冲突加剧致使国际贸易形势不确定性。以美国为首的相关国家和地区相继
收紧针对半导体行业的出口管制政策，可能会对国际市场供应、产品价格、
货币结算等产生不确定影响。公司业务情况与宏观环境密切相关，若未来发
生大规模经贸摩擦，可能影响境外客户及供应商的商业规划，存在对公司业绩造成不利影响的风险。
公司经本次董事会审议通过的利润分配预案为：以截至 2024 年 4 月 18
日扣除回购专户中已回购股份后的总股本 540,608,382 股为基数，向全体股东
每 10 股派发现金红利 6 元（含税），送红股 0 股（含税），以资本公积金向全
体股东每 10 股转增 0 股。
目录
第一节 重要提示、目录和释义......2
第二节 公司简介和主要财务指标......10
第三节 管理层讨论与分析......14
第四节 公司治理......46
第五节 环境和社会责任......72
第六节 重要事项......77
第七节 股份变动及股东情况 ......95
第八节 优先股相关情况......106
第九节 债券相关情况 ......107
第十节 财务报告......108
备查文件目录
一、载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表。
二、载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。
三、报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。
四、其他备查文件。
以上备查文件的备置地点：公司证券部
释义
释义项 指 释义内容
本公司、公司、扬杰科技 指 扬州扬杰电子科技股份有限公司
半导体 指 导电性能介于导体和绝缘体之间的物
质，如：硅和锗
金属-氧化物半导体场效应晶体管
（Metal-Oxide-Semiconductor
MOSFET、MOS 指 Field-Effect Transistor），是一种
可以广泛使用在模拟电路与数字电路
的场效晶体管
绝缘栅双极型晶体管（Insulated
Gate Bipolar Transistor），是由
IGBT 指 BJT（双极型三极管）和 MOS（绝缘栅
型场效应管）组成的复合全控型电压
驱动式功率半导体器件
SiC 指 碳化硅，一种碳硅化合物，是第三代
半导体的主要材料
氮化镓，一种氮和镓的化合物，是一
GaN 指 种直接能隙（direct bandgap）的半
导体
在半导体片材上（单晶硅上）进行扩
晶圆、芯片 指 散、光刻、蚀刻、清洗、钝化、金属
化等多道工艺加工，制成的能实现某
种功能的半导体器件
将一定数目的晶体管、二极管、电
集成电路 指 阻、电容和电感等集成在一起，从而
实现电路或者系统功能的半导体器件
晶圆制造后的一系列工序，即将晶圆
封装 指 分割成单个的芯片后，焊接引线并安
放和连接到一个封装体上
电力电子器件 指 又称为功率半导体器件，主要用于电
力设备的电能变换和控制电路等方面
二极管 指 一种具有正向导通反向截止功能特性
的半导体器件
整流桥 指 由两个或四个二极管组成的整流器件
功率模块 指 功率电力电子器件按一定的功能组合
再灌封而成
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