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南大光电:2022年年度报告

公告日期:2023-03-18

南大光电:2022年年度报告 PDF查看PDF原文
江苏南大光电材料股份有限公司

        2022 年年度报告

          2022 年 03 月


                第一节 重要提示、目录和释义

    公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整,不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

    公司负责人冯剑松、主管会计工作负责人陆振学及会计机构负责人(会计主管人员)郭颜杰声明:保证本年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
    所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。

    本报告中如有涉及未来的计划、业绩预测等方面的内容,均不构成本公司对任何投资者及相关人士的承诺,投资者及相关人士均应对此保持足够的风险认识,并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。

    公司需遵守《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第 4 号——创业板行
业信息披露》中的“LED 产业链相关业务”的披露要求:

    1、行业景气状况及全球化竞争的风险

    公司主要从事先进前驱体、电子特气、光刻胶及配套材料等三类关键半导体材料的研发、生产和销售。公司所处行业受半导体行业的景气状况影响较大,半导体行业是周期性行业,公司经营状况与半导体行业的周期特征紧密相关,半导体行业发展过程中的波动将使公司面临一定的行业经营风险。同时,由于全球化竞争日益激烈,面对国际巨头的竞争压力,能否在全球化竞争中取得相对竞争优势,抓住市场机会,将对公司的生存及发展具有重大影响。投资
者应综合考虑公司所处行业发展情况以及上下游国内外市场竞争情况、国家宏观经济政策、行业市场发展情况和技术发展趋势等因素审慎估值和投资。

    2、安全生产的风险

    公司产品对氧和水十分敏感,在空气中会自燃,遇水则发生爆炸,属于易爆危险品。产品生产流程中的合成、纯化等环节涉及到各种物理和化学反应,对安全管理和操作要求较高。公司自成立以来,遵守国家相关安全生产的法律和法规,并在工艺、管理、人员、设备等方面做好安全防范措施,比如增加技术研发投入,采用先进工艺,增设安全生产装置,建立完善、有效的安全生产管理制度,加强安全生产培训,提高从业人员的安全知识和安全意识等。尽管如此,公司未来仍存在因安全管理不到位、设备及工艺不完善、物品保管及人为操作不当等原因而造成安全事故的风险。

    3、募集资金投资项目实施的风险

    公司在选择募投项目过程中,已聘请有关专业机构在多方面进行了充分论证和预测分析,董事会也对项目进行了充分的可行性研究。但项目在实施过程中,可能会因市场环境变化、产业政策调整、行业发展走向调整、人才短缺、安全生产管理等因素导致不能按计划完成或无法达到预期收益。因此募集资金投资项目的实施与达到预计收益存在一定的风险。公司将组建专业项目团队,制定切实可行的项目实施方案,采取周密谨慎的计划组织实施,积极争取国家产业扶持政策,确保项目顺利实施并达到预期收益。

    公司经本次董事会审议通过的利润分配预案为:以公司现有总股本
543,702,550 股为基数,向全体股东每 10 股派发现金红利 0.70 元(含税),送
红股 0 股(含税),以资本公积金向全体股东每 10 股转增 0 股。权益分派方案
公布后至实施前,如公司总股本由于回购股份等原因发生变动的,将按照“现金分红总额、送红股总额、资本公积金转增股本总额固定不变”的原则,在方案实施公告中披露按公司最新股本总额计算的分配、转增比例。


                      目  录


第一节 重要提示、目录和释义......2
第二节 公司简介和主要财务指标 ......9
第三节 管理层讨论与分析......13
第四节 公司治理 ......40
第五节 环境和社会责任 ......58
第六节 重要事项 ......61
第七节 股份变动及股东情况......77
第八节 优先股相关情况 ......86
第九节 债券相关情况 ......87
第十节 财务报告 ......90

                      备查文件目录

    一、载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、公司会计机构负责人(会计主管人员)签名并盖章的财务报表。

    二、载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。

    三、报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。

    四、经公司法定代表人签名的 2022 年年度报告文本原件。

    五、其他相关资料。

    以上备查文件的备置地点:公司董事会办公室


                        释  义

        释义项          指                                  释义内容

南大光电、公司、本公司    指  江苏南大光电材料股份有限公司

南大资产经营公司          指  南京大学资产经营有限公司,本公司原法人股东之一,2021年 7 月将持有本公司股
                              份全部无偿划转至南京大学资本运营有限公司

南大资本运营公司          指  南京大学资本运营有限公司,2021 年 7 月起成为本公司法人股东之一

宏裕创投                  指  北京宏裕融基创业投资中心(有限合伙),本公司法人股东之一,系第一大股东沈
                              洁女士的一致行动人

同华投资                  指  上海同华创业投资股份有限公司,本公司法人股东之一

全椒南大光电              指  全椒南大光电材料有限公司,本公司控股子公司

苏州南大光电              指  苏州南大光电材料有限公司,本公司全资子公司,2023 年 3月更名为南大光电(苏
                              州)有限公司

宁波南大光电              指  宁波南大光电材料有限公司,本公司控股子公司

南大光电半导体            指  南大光电半导体材料有限公司,本公司全资子公司

Sonata, LLC                指  Sonata, LLC,本公司全资子公司

飞源气体                  指  山东飞源气体有限公司,本公司控股子公司

科源芯氟                  指  淄博科源芯氟商贸有限公司,本公司控股子公司

南大微电子                指  乌兰察布南大微电子材料有限公司,本公司控股子公司

苏州丹百利、丹百利        指  苏州丹百利电子材料有限公司

大基金二期                指  国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司

《公司章程》              指  《江苏南大光电材料股份有限公司章程》

证监会、中国证监会        指  中国证券监督管理委员会

《公司法》                指  《中华人民共和国公司法》

《证券法》                指  《中华人民共和国证券法》

元                        指  人民币元

02 专项                  指  国家科技重大专项之《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》项目

                              国务院于 1986年 3月开始实施的高科技研究发展计划,该计划从世界高技术发展趋
863计划                  指  势和我国需求出发,选择了一些领域作为我国高技术研究发展的重点,支持其攻关
                              研究及创新

LED                      指  发光二极管,用半导体材料制备的固体发光器件,其原理是利用半导体材料的特性
                              将电能转化为光能而发光

                              Integrated Circuit 的简称,是采用一定的工艺,将一个电路中所需的晶体管、电阻、
集成电路、IC              指  电容和电感等元件及布线连在一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片
                              上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构


LCD                      指  液晶显示屏,是利用有机复合物液晶的物理特性,即通电时排列变得有序,使光线
                              容易通过,不通电时排列混乱,阻止光线通过,进行工作的显示设备

                              高纯金属有机源(亦称高纯金属有机化合物),通常纯度应达到 99.9999%(6N)以
MO源                    指  上,是制备 LED、新一代太阳能电池、相变存储器、半导体激光器、射频集成电路
                              芯片等的核心原材料,在半导体照明、信息通讯、航天等领域有极重要的作用

外延片                    指  外延生长的产物,用于制造 LED芯片等

MOCVD                  指  金属有机化学气相沉积,目前应用范围最广的生长外延片的方法,有时也指运用此
                              方法进行生产的设备。

                              半导体前驱体是集成电路制造中 ALD 和 CVD 薄膜沉积工艺中使用到的一种重要介
                              质,是用于形成符合半导体制造要求的各类薄膜层的核心原材料,在国防军事工
半导体前驱体              指  业、航空航天、芯片制造、新型光伏太阳能电池、移动通讯及其他电子产品方面都
                              有着极其广泛的应用。根据形成薄膜的材料属性划分,可以分为硅前驱体和金属前
                              驱体;根据集成电路晶圆制造工序划分,可分为高 K前驱体和低 K 前驱体两类。

                              薄膜沉积工艺是指在硅片基底上沉积导体、绝缘体或者半导体等材料形成功能薄
薄膜沉积工艺              指  膜,使之具有光学、电学等方面的特殊性能,包括物理薄膜沉积(PVD)、化学气
                              相反应薄膜沉积(CVD)和原子层薄膜沉积(ALD)。

                              高纯电子特种气体,通常纯度应达到 99.9999%(6N)以上,为大规模集成电路制
                              备中的主要支撑材料之一,同时也广泛应用于发光二极管、平板显示器、太阳能电
砷烷、磷烷                指  池、移动通信、汽车导航、航空航天、军事工业等领域。公司磷烷、砷烷产品分为
                              高纯类及安全源类,高纯类主要用于 LED 行业,安全源类主要用于 IC 行业,二者
                              纯度和装载方式不同。

                              
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