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南大光电:2020年半年度报告

公告日期:2020-08-28

南大光电:2020年半年度报告 PDF查看PDF原文
江苏南大光电材料股份有限公司

      2020 年半年度报告

          2020 年 08 月


                第一节 重要提示、目录和释义

    公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实、准确、完整,不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

    公司负责人冯剑松、主管会计工作负责人苏永钦及会计机构负责人(会计主管人员)郭颜杰声明:保证本半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

    所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。

    本报告中如有涉及未来的计划、业绩预测等方面的内容,均不构成本公司对任何投资者及相关人士的承诺,投资者及相关人士均应对此保持足够的风险认识,并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。

    公司需遵守《深圳证券交易所创业板行业信息披露指引第 9 号——上市公
司从事 LED 产业链相关业务》的披露要求

    1、  行业竞争因素引起的业绩波动风险

    公司主要从事电子材料的研发、生产与销售,产品主要有 MO 源、高纯电
子特种气体等,广泛应用于制备 LED、LCD、集成电路芯片制造等领域。公司凭借较强的研发实力、特殊的生产工艺、过硬的产品质量、有效的成本控制以及多年来积累的良好声誉,树立了较为稳固的市场地位。然而 2020 年上半年,LED 行业持续下滑,竞争加剧, MO 源业务面临严峻挑战,激烈的市场竞争带来了产品销售价格的下降,成为影响 MO 源产品销售业绩的主要因素;加之集成电路行业整体发展增速放缓、全球经贸关系复杂程度增大、国外疫情尚未得
到有效控制等因素,对公司的经营业绩造成一定的不利影响。投资者应综合考虑公司所处行业发展情况以及上下游国内外市场竞争情况、国家宏观经济政策、行业市场发展情况和技术发展趋势等因素审慎的估值和投资。

    2、  安全生产的风险

    公司主要从事电子材料 MO 源、高纯电子特种气体等产品的研发、生产和
销售。产品对氧和水十分敏感,在空气中会自燃,遇水则发生爆炸,属于易爆危险品。产品生产流程中的合成、纯化等环节涉及到各种物理和化学反应,对安全管理和操作要求较高。公司自成立以来,遵守国家相关安全生产的法律和法规,并在工艺、管理、人员、设备等方面做好安全防范措施,比如增加技术研发投入,采用先进工艺,增设安全生产装置,建立完善、有效的安全生产管理制度,加强安全生产培训,积极提高从业人员的安全知识和安全意识等。尽管如此,公司未来仍存在因安全管理不到位、设备及工艺不完善、物品保管及人为操作不当等原因而造成安全事故的风险。

    3、  募集资金投资项目实施的风险

    为了提升公司 MO 源生产能力和整体研发水平,公司已使用自筹及首次公
开发行股票的募集资金推进了“高纯金属有机化合物产业化项目”、“研发中心技术改造项目”的实施。“高纯金属有机化合物产业化项目”已于 2013 年 8 月完成建设;“研发中心技术改造项目”实施地点变更为新地块,公司第六届董事会第十一次会议审议通过《关于使用部分超募资金对募投项目“研发中心技术改造项目”增加投资的议案》,目前“研发中心技术改造项目”主体建设已经完工。2014年,公司使用超募资金增资全椒南大光电以推动“高纯砷烷、磷烷等特种气体的
研发和中试”项目进展;使用募投项目节余资金新建年产 1.5 吨高纯三甲基铟生产线。公司 2019 年第一次临时股东大会、第四次临时股东大会,分别审议通过
了《关于使用部分超募资金投资“年产 170 吨 MO 源和高 K 三甲基铝生产项目”
的议案》、《关于使用部分超募资金投资“ArF 光刻胶产品的开发与产业化”项目的议案》和《关于使用部分超募资金投资山东飞源气体有限公司的议案》,项目资金根据项目具体进度予以使用。虽然公司在选择上述投资项目过程中,已聘请有关专业机构在多方面进行了充分论证和预测分析,本公司董事会也对项目进行了充分的可行性研究,但由于在项目实施、后期生产与经营过程中可能会由于市场供求变化、产业政策调整、技术更新、人才短缺、安全生产管理等因素导致项目不能按计划完成或无法达到预期收益,因此募集资金投资项目的实施与达到预计收益存在一定的风险。

    公司计划不派发现金红利,不送红股,不以公积金转增股本。


                        目录


第一节 重要提示、目录和释义......2
第二节 公司简介和主要财务指标 ......8
第三节 公司业务概要 ...... 11
第四节 经营情况讨论与分析......14
第五节 重要事项 ......29
第六节 股份变动及股东情况......37
第七节 优先股相关情况 ......41
第八节 可转换公司债券相关情况 ......42
第九节 董事、监事、高级管理人员情况......43
第十节 公司债券相关情况......45
第十一节 财务报告......46
第十二节 备查文件目录 ......146

                          释义

                释义项                  指                            释义内容

南大光电、公司、本公司                  指  江苏南大光电材料股份有限公司

同华投资                                指  上海同华创业投资股份有限公司,本公司法人股东之一

南大资产经营公司                        指  南京大学资产经营有限公司,本公司法人股东之一

全椒南大光电                            指  全椒南大光电材料有限公司,本公司控股子公司

苏州南大光电                            指  苏州南大光电材料有限公司,本公司全资子公司

宁波南大光电                            指  宁波南大光电材料有限公司,本公司全资子公司

南大光电半导体                          指  南大光电半导体材料有限公司,本公司全资子公司

Sonata, LLC                              指  Sonata, LLC,本公司全资子公司

山东飞源气体                            指  山东飞源气体有限公司,本公司控股子公司

科源芯氟                                指  淄博科源芯氟商贸有限公司,本公司控股子公司

苏州丹百利                              指  苏州丹百利电子材料有限公司

北京科华                                指  北京科华微电子材料有限公司

《公司章程》                            指  《江苏南大光电材料股份有限公司章程》

证监会、中国证监会                      指  中国证券监督管理委员会

《公司法》                              指  《中华人民共和国公司法》

《证券法》                              指  《中华人民共和国证券法》

元                                      指  人民币元

                                        指  发光二极管,用半导体材料制备的固体发光器件,其原理是利用半导
LED                                        体材料的特性将电能转化为光能而发光

                                            高纯金属有机源(亦称高纯金属有机化合物),通常纯度应达到

MO 源                                  指  99.9999%(6N)以上,是制备 LED、新一代太阳能电池、相变存储
                                            器、半导体激光器、射频集成电路芯片等的核心原材料,在半导体照
                                            明、信息通讯、航天等领域有极重要的作用

外延片                                  指  外延生长的产物,用于制造 LED 芯片等

                                        指  金属有机化学气相沉积,目前应用范围最广的生长外延片的方法,有
MOCVD                                      时也指运用此方法进行生产的设备

芯片                                    指  LED 芯片,具有器件功能的最小单元,具备正负电极、通电后可发
                                            光的半导体光电产品,由外延片经特定工艺加工而成

02 专项                                  指  “极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项

ALD 前驱体                              指  高纯ALD/CVD前驱体通常是指高挥发性的有机金属化合物以及金属


                                            卤化物,纯度高达 99.9999%(6N)以上,是现代电子工业制备高质
                                            量薄膜材料的核心源材料。ALD 广泛应用于先进集成电路芯片、新型
                                            太阳能电池、移动通讯、卫星导航、航天器等电子器件制造领域。

                                            高纯电子特种气体,通常纯度应达到 99.9999%(6N)以上,为大规
砷烷、磷烷                              指  模集成电路制备中的主要支撑材料之一,同时也广泛应用于发光二极
                                            管、平板显示器,太阳能电池、移动通信、汽车导航、航空航天、军
                                            事工业等领域。

                                            又称 ArF 光刻胶,是先进集成电路芯片制造的关键材料。通过紫外光
                                            曝光,曝光的部分在碱性显影液中溶解去除,而未曝光的部分在显影
193nm 光刻胶                            指  液中几乎没有变化,保留在硅片表面。利用光刻胶的这种特性,可以
                                            将掩膜版上细微图形转移到硅片的表面。ArF 光刻胶广泛应用于

                                            90nm~14nm 甚至更小线宽的技术节点的各种高端 IC 芯片的生产制
                          
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