证券代码：300236 证券简称：上海新阳 公告编号：2024-010
上海新阳半导体材料股份有限公司
关于变更部分募集资金用途、调整项目实施进展
及部分募集资金投资项目结项的公告
本公司及董事会全体成员保证信息披露的内容真实、准确、完整，没有虚假记载、误导性陈述或重大遗漏。
上海新阳半导体材料股份有限公司（以下简称“公司”）于 2024 年 3 月
13 日召开第五届董事会第十七次会议和第五届监事会第十六次会议，审议通过了《关于变更部分募集资金用途、调整项目实施进展及部分募集资金投资项目结项议案》，同意变更“集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目”部分募集资金用途，用于新增项目“ArF 浸没式光刻胶研发项目”及“偿还项目贷款”，同时对募集资金投资项目“集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目”预计完成时间进行调整，并将“集成电路关键工艺材料项目”结项。本次变更事项尚需提交公司 2023 年年度股东大会审议。现将相关事项公告如下：
一、募集资金及募投项目基本情况
经中国证券监督管理委员会证监许可[2021]195 号文《关于同意上海新阳半导体材料股份有限公司向特定对象发行股票注册的批复》核准，本公司于 2021
年 4 月向特定对象发行普通股（A 股）股票 22,732,486 股，募集资金总额
79,199.98 万元，根据众华会计师事务所（特殊普通合伙）出具众会字（2021）第 03522 号《验资报告》，本次向特定对象发行股票扣除不含税发行费用后的募集资金净额为 78,753.97 万元。天风证券股份有限公司将扣除承销保荐费用（含税）后的资金打款到本次募集资金专户中，金额为 78,803.98 万元，其中含未能及时置换发行费用 50.01 万元，扣除后实际募集资金净额为 78,753.97万元。
公司已按规定对募集资金采取了专户存储制度，设立了相关募集资金专项账户。募集资金到账后，已全部存放于募集资金专项账户内，公司已与保荐机构、存放募集资金的银行签署了募集资金监管协议。
截至 2023 年 12 月 31 日，公司 2021 年非公开发行 A 股股票募集资金投资
项目（以下简称“募投项目”）及使用情况如下：
项目名称 拟投入募集 累计已投 投入进度 募集资金
资金金额 入金额 期末余额
集成电路制造用高端光刻胶研 42,553.97 8,149.02 19.15% 34,404.95
发、产业化项目
集成电路关键工艺材料项目 21,200.00 21,200.00 100.00% -
补充流动资金 15,000.00 15,000.00 100.00% -
合计 78,753.97 44,349.02 34,404.95
二、本次变更部分募集资金用途具体情况
（一）拟变更募投项目概述
截至 2023 年 12 月 31 日，“集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目”
已投入本次募集资金 8,149.02 万元，主要用于 KrF 厚膜光刻胶及 ArF 干法光刻
胶研发 ；该项目未使用募集资金余额为 34,404.95 万元。
为提高募集资金的使用效率，在保证募投项目继续得以有效地实施和正常推进的基础上，公司拟变更部分募集资金用途，将本项目募集资金投资金额从
42,553.97 万元调减至 18,087.39 万元，其中，调减的 24,466.58 万元用于新
增的“ ArF 浸没式光刻胶研发项目”以及“ 偿还项目贷款 ”项目，变更涉及金额占募集资金净额比例为 31.07%。本次变更部分募集资金用途不构成关联交易，亦不涉及重大资产重组。具体变更情况如下：
项目名称 本次变更前募集 本次变更后募集资 变更情况说明
资金拟投资额 金拟投资额
集成电路制造用高端光刻胶 42,553.97 18,087.39 调减募集资金
研发、产业化项目 投入
ArF 浸没式光刻胶研发项目 - 16,500.00 新增项目
偿还项目贷款 - 7,966.58 新增项目
合计 42,553.97 42,553.97
注：“集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目”的实际已投资金额
24,614.39 万元，包括前次 16,000 万元的募集资金及利息。2018 年 3 月，公司
变更前次募集资金 16,000 万元至“193nm(ArF)干法光刻胶研发及产业化项目”，具体详见公司公告 2018-011。
（二）变更部分募投项目的原因
1、原募投项目基本情况
原项目“集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目”于 2020 年 3 月 20
日在上海市松江区发展和改革委备案，实施主体为上海新阳半导体材料股份有限公司，拟投入募集资金 42,553.97 万元，主要开发集成电路制造中 ArF 干法工艺使用的光刻胶和面向 3D NAND（闪存，属于非易失性存储器）台阶刻蚀的KrF 厚膜光刻胶产品。
经过多年的研发工作，公司已组建了一支包含高端光刻人才在内的具有国际水平的先进光刻胶产品开发和产业化队伍。项目研发过程中，研发团队积极建立和完善与 ArF 干法光刻胶和 KrF 厚膜光刻胶产业自主发展相关的知识产权体系。公司已掌握包括原料纯化工艺、配方工艺和生产工艺在内的、具有完整知识产权的 ArF 干法光刻胶和 KrF 厚膜光刻胶的规模化生产技术，可实现两大类光刻胶产品及配套试剂的量产供货，并已申请相关专利 26 件，授权 7 件。
截至 2023 年 12 月 31 日，“集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目”
已投入 24,614.39 万元，其中投入本次募集资金 8,149.02 万元；该项目未使用募集资金余额为 34,404.95 万元。
2、变更原募投项目部分募集资金用途原因
（1）现有产品、产线已满足募投项目规划需求
截至 2023 年 12 月 31 日，原项目“集成电路制造用高端光刻胶研发、产业
化项目”中“KrF 厚膜光刻胶”项目已经达到预定可使用状态，产品已经通过客户认证，取得订单并产生销售收入；“ArF 干法光刻胶”项目的产线已经投入运行，产品仍在客户认证阶段，研发工作还在进行。因此，公司已建成光刻胶生产线，已具备部分光刻胶产品的量产能力。
（2）提升募集资金使用效率
为提升募集资金使用效率，保障募集资金的安全、合理运用，本着对投资者负责及谨慎投资的原则，结合项目实际开展情况，公司决定调减“集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目”拟投入募集资金金额，优先投入其他项目。
原项目“集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目”是公司战略布局的重要组成部分，公司仍将全力推进光刻胶客户端认证和规模化量产销售进度，项目建设的必要性和可行性未发生显著变化，公司将继续实施该项目，项目剩余募集资金将继续用于 ArF 干法光刻胶后续研发、认证及推广工作，未来出现资金不足情况，公司将以自有资金予以补足以满足本次募投项目的使用要求。
（三）新增募投项目情况说明
本次拟将“集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目”部分募集资金用于“ArF 浸没式光刻胶研发项目”和“偿还项目贷款”。具体说明如下：
1、ArF 浸没式光刻胶研发项目
（1）项目基本情况和投资计划
新增“ArF 浸没式光刻胶研发项目”于 2020 年在公司立项，项目预计投资
总额为 42,000 万元，主要针对 193nm ArF 浸没式光刻胶产品的研发，目前已进
入关键研发阶段，拟使用募集资金投入 16,500 万元。
（2）项目的必要性和可行性分析
① ArF 浸没式光刻胶市场广阔
根据 SEMI 数据显示，全球半导体光刻胶市场规模逐年增长，2022 年达到
26.4 亿美元，同比增长 6.82%。国内半导体光刻胶市场规模为 5.93 亿美元，同比增长 20.47%。国内半导体光刻胶市场增速远高于全球水平，国内半导体光刻
胶市场在全球市场的份额占比从 2020 年的 16.9%增至 2022 年的 22.5%。从半
导体光刻胶细分市场分析，ArF 干法和浸没式光刻胶已成为集成电路制造领域
需求量最大的光刻胶产品。根据 TECHCET 统计，2022 年 ArF 干法和浸没式光刻
胶占据了 46%的市场份额，其中全球 ArF 浸没式光刻胶市场规模为 8 亿美元，
ArF 干法光刻胶市场规模为 2 亿美元。由于 ArF 浸没式光刻胶主要用于先进制
程中的多重曝光过程，因此其需求量为普通光刻胶的 2-4 倍，随着半导体制程
提升，ArF 浸没式光刻胶市场有望持续高景气扩容。
② 高端光刻胶国产化替代势在必行
集成电路产业是我国战略性新兴产业的重要组成部分，是信息产业的基础
与核心，在大规模集成电路的制造过程中，光刻和刻蚀技术是精细线路图形加
工中最重要的工艺，决定着芯片的最小特征尺寸，光刻工艺耗时占到芯片制造
时间的 40%-50%。核心材料光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率
及可靠性的关键因素。
自 2003 年起，半导体产业进入了 ArF（193nm）光刻时代，ArF 是目前国际
上主流的光刻技术，先进制造工艺使用量最高的半导体光刻胶也是 ArF 光刻胶，ArF 干法/ArF 浸没式光刻胶是现在及将来很长一段时间光刻技术的主流材料。
目前，国内 90-14nm 半导体制程的高端半导体芯片制造所用的 ArF 光刻胶 100%
需要进口，其中超过 90%为日本制造，ArF 高端光刻胶产品在国内一直是空白。光刻胶产品有着很高的技术壁垒，到目前为止，欧美及日本等国家仍对中国禁
止输入 ArF 光刻胶技术。
故中国想要掌握 ArF 干法/ArF 浸没式光刻胶等高端光刻胶技术只有自力更
生、自主创新，高端光刻胶国产化替代势在必行。
③ArF 湿法光刻胶制备难度高
为了进一步提高分辨率，工业界将光刻机镜头与光刻胶之间的介质由空气
换成了高折射率的液体（如水或其他化合物液体），形成了湿法光刻技术。光
刻光源发出的辐射通过该液体介质后发生折射，波长变短，进而可以提高光刻
分辨率，故 ArF 浸没式光刻胶常用于更先进的技术节点，如 20-45nm。随着芯
片制程主流工艺节点的向前推进，ArF 浸没式光刻技术将得到越来越多的应用，故 ArF 浸没式光刻胶也是我国必须实现自主生产的半导体关键工艺材料，对我
国半导体产业发展有重要的战略意义。ArF 浸没式光刻胶对防水性能要求更高，
使用含氟材料相对较多；ArF 浸没式光刻胶往往用于更先进的技术节点，对光
刻胶的纯度、金属杂质含量等产品质量要求更高，生产管控也更加严格，且对
不同批次产品效果的一致性要求也更高；因此 ArF 浸没式光刻胶的制备难度远
大于 ArF 干法、KrF
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