公司代码：688693 公司简称：锴威特
苏州锴威特半导体股份有限公司
2024 年半年度报告
重要提示
一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确
性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。二、重大风险提示
公司已在本半年度报告中描述可能存在的风险，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分的相关内容。
三、公司全体董事出席董事会会议。
四、本半年度报告未经审计。
五、公司负责人罗寅、主管会计工作负责人刘娟娟及会计机构负责人（会计主管人员）刘娟娟
声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
公司2024年半年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数分配利润，利润分配预案如下：公司拟向全体股东每10股派发现金红利1元（含税）。截至2024年06月30日，公司总股本73,684,211股，以此计算合计拟派发现金红利7,368,421.10元（含税）。
在实施权益分派的股权登记日前公司总股本发生变动的，拟维持每股分配比例不变，相应调整分配总额，并将另行公告具体调整情况。
公司2024年半年度利润分配预案已经公司第二届董事会第十五次会议及第二届监事会第十次会议审议通过，尚需提交公司股东大会审议。
七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告涉及未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质性承诺，敬请投资者关注投资风险。
九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性否
十二、 其他
□适用 √不适用
目录
第一节 释义 ...... 5
第二节 公司简介和主要财务指标 ...... 8
第三节 管理层讨论与分析 ...... 11
第四节 公司治理 ...... 31
第五节 环境与社会责任 ...... 33
第六节 重要事项 ...... 35
第七节 股份变动及股东情况 ...... 73
第八节 优先股相关情况 ...... 78
第九节 债券相关情况 ...... 78
第十节 财务报告 ...... 79
载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章
备查文件目录 的财务报表。
报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。
第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
锴威特、公司、本公 指 苏州锴威特半导体股份有限公司
司
港晨芯 指 苏州港晨芯企业管理合伙企业（有限合伙）
大唐汇金 指 大唐汇金（苏州）产业投资基金合伙企业（有限合伙）
港鹰实业 指 张家港市港鹰实业有限公司
金茂创投 指 张家港市金茂创业投资有限公司
甘化科工 指 广东甘化科工股份有限公司，深圳证券交易所上市公司，股票代
码 000576
国经众明 指 无锡国经众明投资企业（有限合伙）
招港共赢 指 张家港市招港共赢企业管理合伙企业（有限合伙）
新工邦盛 指 江苏疌泉新工邦盛创业投资基金合伙企业（有限合伙）
邦盛聚泓 指 徐州邦盛聚泓股权投资合伙企业（有限合伙）
邦盛聚源 指 南京邦盛聚源创业投资合伙企业（有限合伙）
禾望投资 指 深圳市禾望投资有限公司，系深圳市禾望电气股份有限公司（上
海证券交易所上市公司，股票代码 603063）全资子公司
悦丰金创 指 张家港市悦丰金创投资有限公司
创芯投资 指 苏州创芯投资有限公司，公司全资子公司
西安锴威 指 西安锴威半导体有限公司，公司全资子公司
陆巡科技 指 深圳陆巡科技有限公司，公司参股子公司
报告期、本报告期 指 2024年 01月 01 日至 2024年 06 月 30日
上年同期、2023 年 指 2023年 01月 01 日至 2023年 06 月 30日
同期
报告期初 指 2024年 01月 01 日
报告期末 指 2024年 06月 30 日
常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材
半导体 指 料有硅、锗、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。硅是各种半导体材料
中，在商业应用上最具有影响力的一种
一种微型电子器件或部件。具体指采用半导体制备工艺，把一个
IC、集成电路、芯片 指 电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连在一
起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装
在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构
半导体分立器件。与集成电路相对的，采用特殊的半导体制备工
分立器件、半导体分 指 艺，实现特定单一功能的半导体器件，且该功能往往无法在集成
立器件 电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成本较高。分立器件
主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等
功率器件、半导体功 又称电力电子功率器件，主要用于电力设备的电能变换和电路控
率器件 指 制，是进行电能（功率）处理的核心器件，弱电控制和强电运行
间的桥梁。半导体功率器件是半导体分立器件中的主要组成部分
二极管 指 全称为半导体二极管，是一种具有正向导通、反向截止功能特性
的半导体分立器件
三极管 指 全称为半导体三极管，包括双极晶体管、场效应晶体管等
MOSFET 、 功 率 指 MOS 管 ， 是 金 属 （ Metal ） — 氧 化 物 （ Oxid ） — 半 导 体
MOSFET或 MOS （Semiconductor）场效应晶体管，属于电压控制型器件
平面 MOSFET 指 以平面工艺为技术路线的 MOSFET 产品
SOI 指 Silicon-On-Insulator，绝缘体上硅，该技术是在顶层硅和背衬底之
间引入了一层埋氧化层，SOI 材料具有了体硅所无法比拟的优点：
可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅 CMOS
电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路具有寄生
电容小、集成密度高、速度快、漏电小等优势
BCD工艺 指 一种结合了 BJT、CMOS和 DMOS的单片 IC 制造工艺
沟槽型 MOSFET 指 MOSFET 栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、低导通
损耗等特点
基于电荷平衡技术理论，在传统的功率 MOSFET 中加入 p-n 柱相
超结 MOSFET 指 互耗尽来提高耐压和降低导通电阻的器件结构，具有工作频率
高、导通损耗小、开关损耗低、芯片面积小等特点
IP 指 Intellectual Property的缩写，即知识产权
IP 核 指 知识产权模块，在芯片设计中指可重复使用的具有成熟设计的功
能模块
FRMOS、集成快恢 在平面 MOSFET 中集成快恢复功率二极管的一种功率器件，可大
复 高 压 功 率 指 幅改善器件的反向恢复时间、反向恢复电荷等参数特性，属于平
MOSFET 面 MOSFET 的一种细分产品
Pulse Width Modulation，脉宽调制，是一种模拟控制方式，根据相
PWM 指 应载荷的变化来调制晶体管基极或 MOS 管栅极的偏置，来实现晶
体管或 MOS 管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改
变
AC-DC 指 将交流电转换成直流电的一种技术和方法
谐振电路（Resonant Converters），由开关网络（全桥或半桥）、
LLC 指 电感（以字母 L 表示）、电容（以字母 C 表示）等元器件构成，
LLC 由于实现了软开关，有效降低了开关损耗，提高了电源效
率，适用于高频、高功率密度设计
DC-DC 指 直流变换器，可将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压
指 GraphicDataSystem格式的文件，半导体芯片设计中一般指用于
GDS文件 指 芯片流片的工业标准数据文件，其中记录了芯片的各图层、图层
内的平面几何形状、文本标签等用于制作光掩膜版的文件数据
将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓扑封装在一
功率模块、模块 指 起，形成整体模块化产品。该类产品集成度高、功率密度高、功
率控制能力强，往往应用于大功率或小体积的电力电子产品。
流片 指 像流水线一样通过一系列半导体制备工艺步骤制造芯片
IDM 指
